IXYS

Ixys Mosfet, Canale Tipo N 800 V, 200 MΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, ISOPLUS247, Foro Passante IXFR44N80P

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MarcaIXYS
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Descrizione
IXYS MOSFET, canale Tipo N 800 V, 200 mΩ Miglioramento, 25 A, 3 Pin, ISOPLUS247, Foro passante IXFR44N80P, Massima corrente di scarico continua (Id): 25A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 800V, Serie: HiperFET, Polar, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 200mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 200nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 300W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 1.5V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V

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