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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 40 V, 2 MΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD100N04S402ATMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 40 V, 2 MΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD100N04S402ATMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 40 V, 2 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD100N04S402ATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 100A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 40V, Serie: OptiMOS-T2, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 2mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 150W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 91nC, MPN: IPD100N04S4-02

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