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Onsemi Mosfet, Canale P, 130 MΩ, 3,4 A, SOT-223, Montaggio Superficiale-image

Onsemi Mosfet, Canale P, 130 MΩ, 3,4 A, SOT-223, Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale P, 130 mΩ, 3,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.6mm, Lunghezza: 6.5mm, MPN: FDT458P

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