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Vishay Mosfet, Canale N, 125 MΩ, 29 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale N, 125 MΩ, 29 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 125 mΩ, 29 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Serie: E Series, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 85 nC a 10 V, Larghezza: 9.65mm, MPN: SIHB30N60E-GE3

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