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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 3 MΩ, 120 A, TO-220, Su Foro

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Specifiche
MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: DeepGate, STripFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 183 nC a 10 V, MPN: STP260N6F6

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