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Infineon Mosfet, Canale P, 7,7 MΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale P, 7,7 MΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale P, 7,7 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 88 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 4.4mm, MPN: IPB80P04P407ATMA1

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