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Nexperia Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 8.35 MΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, Lfpak, Superficie PSMN6R1-30YLDX-image

Nexperia Mosfet, Canale Tipo N 30 V, 8.35 MΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, Lfpak, Superficie PSMN6R1-30YLDX

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MarcaNexperia
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Descrizione
Nexperia MOSFET, canale Tipo N 30 V, 8.35 mΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN6R1-30YLDX, Massima corrente di scarico continua (Id): 66A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 8.35mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 6.8nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 47W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 10 V, Temperatura massima di funzionamento: 175°C

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