STMicroelectronics
Stmicroelectronics Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 320 MΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD16N60M2-image

Stmicroelectronics Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 320 MΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD16N60M2

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MarcaSTMicroelectronics
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Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale Tipo N 600 V, 320 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD16N60M2, Massima corrente di scarico continua (Id): 12A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 600V, Serie: MDmesh M2, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 320mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 19nC, Dissipazione di potenza massima (Pd): 110W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 1.6V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 25 V

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