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Infineon Mosfet, Canale N, 950 MΩ, 6,6 A, SOT-223, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 950 MΩ, 6,6 A, SOT-223, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 550 V, Serie: CoolMOS™ CE, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 10,5 nC a 10 V, Larghezza: 3.7mm, MPN: IPN50R950CEATMA1

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