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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 200 V, 165 MΩ, 17 A, TO-252, Superficie-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 200 V, 165 MΩ, 17 A, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 200 V, 165 mΩ, 17 A, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 17A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 200V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 165mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.5V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 140W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 27nC, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Standard/Approvazioni: RoHS, MPN: IRFR15N20DTRPBF

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