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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 190 MΩ, 18 A, TO-247, Su Foro-image

Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 190 MΩ, 18 A, TO-247, Su Foro

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MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 190 mΩ, 18 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Serie: MDmesh M2, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Carica gate tipica @ Vgs: 29 nC a 10 V, MPN: STW24N60M2

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